Статьи автора

ВЛИЯНИЕ СТЕРИЧЕСКОГО ФАКТОРА НА СТРОЕНИЕ КОМПЛЕКСОВ ИОДИДА ИНДИЯ(III) НА ОСНОВЕ ЗАМЕЩЕННЫХ -ИМИНОБЕНЗОХИНОНОВ

Номер выпуска 8 от 23.05.2025

На основе ряда замещенных -иминобензохинонов (6-((2,6-ди--пропилфенил)имино)-2,4-(2,4,4-триметилпентан-2-ил)циклогекса-2,4-диен-1-он(L),4-(-бутил)-6-((2,6-ди--пропилфенил)имино)-3-метоксициклогекса-2,4-диен-1-он (L) и 6-((2,6-ди--пропилфенил)имино)-3-метокси-4-(2,4,4-триметилпентан-2-ил)циклогекса-2,4-диен-1-он (L)) синтезированы комплексы иодида индия(III), содержащие редокс-активный лиганд в нейтральной форме. -Иминобензохинон L синтезирован впервые. Установлено, что строение полученных комплексов зависит от степени экранирования карбонильного атома кислорода в исходном -иминобензохиноне. Стерически загруженный L образует аддукт 1 : 1 с InI (комплекс (L)InI (I)). Отсутствие заместителя в положении 2 -иминобензохинонового кольца способствует формированию бислигандных ионных производных {[(L)]InI}InI} (II) и {[(L)]InI}InI} (III). Молекулярное строение L и комплексов I - 0.5 толуол, II - толуол · 0.5 гексан установлено с помощью РСА (CCDC № 2440874 (L), 2440875 (I · 0.5 толуол), 2440876 (II · толуол · 0.5 гексан)). Изучены оптические и электрохимические свойства исходных -иминобензохинонов и комплексов индия(III) на их основе. Показано, что активирующее комплексообразование способствует значительному усилению окислительных свойств L, L и L.

2 0